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电子元器件详细资料 » IC[20330] » IRF640N
型号:IRF640N类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C150 毫欧 @ 11A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs67nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1160pF @ 25V
功率_最大150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件

供应商

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深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
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